01 Der globale Markt für extreme Ultraviolett-Lithografie (EUV-Lithografie) hatte 2025 ein Volumen von 23,64 Milliarden US-Dollar und soll von 25,95 Milliarden US-Dollar im Jahr 2026 auf 54,66 Milliarden US-Dollar im Jahr 2034 anwachsen, was einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 9,76 % im Prognosezeitraum von 2026 bis 2034 entspricht. Taiwan dominierte den EUV-Lithografie-Markt mit einem Marktanteil von 31,5 % im Jahr 2025.Eine der führenden Lithografietechniken der nächsten Generation (NGL) zur Herstellung von nur 30 nm dünnen Strukturen sowie von Mikroprozessoren und Mikrochips ist die extreme Ultraviolett-Lithografie (EUVL). Dieses Verfahren könnte die optische Lithografie, die derzeit für die Entwicklung von Mikroschaltungen eingesetzt wird, ablösen. Dabei werden ultraviolette Festkörperlichtstrahlen, die von einem Siliziumwafer reflektiert werden, mithilfe des EUVL-Systems in den Siliziumwafer eingebrannt.
April 2026 TSMC erweiterte seine Halbleiterfertigungskapazitäten durch die Integration von EUV-Lithographietechnologien in fortschrittliche Prozessknoten. Das Unternehmen konzentrierte sich auf die Steigerung der Produktionseffizienz und die Deckung des Bedarfs an KI-, HPC- und Hochleistungshalbleiteranwendungen.
Juni 2026:ASML erweiterte seine Roadmap für die extreme Ultraviolett-Lithographie (EUV) durch die Weiterentwicklung von EUV-Systemen der nächsten Generation, darunter EUV-Plattformen mit hoher numerischer Apertur (NA), um fortschrittliche Halbleiterfertigungsprozesse zu unterstützen. Das Unternehmen konzentrierte sich auf die Verbesserung der Chipfertigungskapazitäten für künstliche Intelligenz, Hochleistungsrechnen und anspruchsvolle Logikanwendungen.
Mai 2026:Intel erweiterte seine Initiativen zur Herstellung fortschrittlicher Halbleiter durch die verstärkte Nutzung von Lithographietechnologien der nächsten Generation, einschließlich EUV-Systemen, um fortschrittliche Prozessknoten zu unterstützen und die Chip-Herstellungskapazitäten zu verbessern.
Januar 2026:ASML hat die Zusammenarbeit mit Halbleiterherstellern und Forschungspartnern intensiviert, um die Entwicklung und den Einsatz von EUV-Lithographiesystemen mit hoher numerischer Apertur (NA) zu beschleunigen. Die Initiativen konzentrierten sich auf die Ermöglichung kleinerer Transistordesigns und Chiparchitekturen der nächsten Generation.