01 El aumento de la cuota de mercado del óxido de galio durante el periodo previsto se relaciona con el crecimiento de la industria de semiconductores y la creciente demanda de estos transistores. El mercado global está experimentando un crecimiento debido a la creciente necesidad de electrónica de potencia de alto rendimiento y productos energéticamente eficientes. También conocido como sesquióxido de galio (Ga₂O₃), se encuentra en el mercado como un polvo blanco compuesto por cristales en forma de varilla, siendo la fase β la forma cristalina más frecuente. El Ga₂O₃ se utiliza en diversas aplicaciones, como fósforos, cátodos para pilas de combustible de óxido sólido, cristales de GGG (granate de galio y gadolinio), cristales piezoeléctricos y objetivos de pulverización catódica para materiales GIZO o IGZO. Este material semiconductor tiene una banda prohibida más amplia que el nitruro de galio, el silicio y el carburo de silicio. Debido a su amplia banda prohibida, se está convirtiendo cada vez más en un material preferido para el desarrollo de fotodetectores insensibles a la luz solar y dispositivos electrónicos de potencia, especialmente en condiciones ambientales exigentes.
Abril de 2026:Indium Corporation obtuvo una subvención de 3,2 millones de dólares del Departamento de Energía de EE. UU. para desarrollar y comercializar un proceso nacional para la recuperación de galio de alta pureza a partir de subproductos de fabricación. El proyecto se llevará a cabo en las instalaciones de la compañía en Rome, Nueva York, y se espera que se amplíe hasta convertirse en un sistema listo para la producción, capaz de producir al menos una tonelada métrica de galio de grado 4N al año. Indium Corporation suministra óxido de galio y otros compuestos de galio a fabricantes de semiconductores y productos electrónicos.
Marzo de 2026:La Universidad de Nagoya y su empresa derivada NU-Rei Co., Ltd. impulsaron seis tecnologías de crecimiento de películas delgadas de óxido de galio hacia su comercialización. Entre los avances se incluyen el primer crecimiento heteroepitaxial de óxido de galio sobre sustratos de silicio de menor costo y una nueva fuente de radicales de oxígeno de alta densidad diseñada para mejorar las tasas de crecimiento de Ga₂O₃ en los procesos de fabricación industrial MBE y PVD.
Febrero de 2026:Novel Crystal Technology ha comenzado a enviar muestras de sustratos de óxido de galio de 150 mm para el desarrollo de semiconductores de potencia de próxima generación. Estos sustratos de mayor diámetro tienen como objetivo aumentar la productividad de los dispositivos, reducir los costos de fabricación y acelerar la transición de los dispositivos de potencia de Ga₂O₃ de la producción a escala de investigación a la fabricación comercial.
Octubre de 2025:Los gobiernos de Estados Unidos y Australia acordaron apoyar la planta de producción de galio propuesta por Alcoa, ubicada junto a su refinería de alúmina en Australia Occidental. Australia se comprometió a aportar hasta 200 millones de dólares en financiación de capital en condiciones favorables, mientras que ambos gobiernos obtuvieron derechos de compra potenciales. La planta propuesta podría llegar a abastecer aproximadamente el 10 % de la demanda mundial de galio, lo que fortalecería la disponibilidad de materia prima para el óxido de galio y otros materiales semiconductores compuestos.