01 2025年全球极紫外光刻市场规模为236.4亿美元,预计将从2026年的259.5亿美元增长到2034年的546.6亿美元,在2026年至2034年的预测期内,复合年增长率为9.76%。台湾在极紫外光刻市场占据主导地位,2025年的市场份额为31.5%。极紫外光刻(EUVL)是用于印刷细至30纳米线条并制造微处理器和微芯片的下一代光刻(NGL)技术中的佼佼者。这种方法有望取代目前用于微电路设计的光学光刻技术。EUVL系统利用从硅片反射的紫外光束,将光刻技术将光刻技术应用于硅片表面。
2026年6月:ASML通过推进下一代极紫外光刻(EUV)系统(包括高数值孔径EUV平台)的研发,扩展了其极紫外光刻技术路线图,以支持先进的半导体制造工艺。该公司专注于提升芯片制造能力,以满足人工智能、高性能计算和先进逻辑应用的需求。