01 预测期内氧化镓市场份额的增长与半导体行业的蓬勃发展以及对晶体管需求的不断增长密切相关。全球市场正因高性能电力电子产品和节能产品需求的日益增长而蓬勃发展。氧化镓又称三氧化二镓 (Ga₂O₃),在市场上以白色粉末形式存在,其晶体呈棒状,其中β相是最常见的晶型。氧化镓的应用十分广泛,包括荧光粉、固体氧化物燃料电池阴极、GGG(镓钆石榴石)晶体、压电晶体以及GIZO或IGZO材料的溅射靶材。这种半导体材料的带隙比氮化镓、硅和碳化硅更宽。由于其宽带隙,氧化镓正日益成为开发日盲光电探测器和电力电子器件的首选材料,尤其是在严苛的环境条件下。
2026年4月:铟公司(Indium Corporation)获得美国能源部320万美元的拨款,用于开发和商业化一种从生产副产品中回收高纯度镓的国内工艺。该项目将在公司位于纽约州罗马市的工厂进行,预计最终将建成一个可量产的系统,每年至少能生产一吨4N级镓。铟公司向半导体和电子产品制造商供应氧化镓和其他镓化合物。
2026年3月:名古屋大学及其衍生公司NU-Rei株式会社推进了六项氧化镓薄膜生长技术的商业化进程。这些成果包括首次报道的在低成本硅衬底上异质外延生长氧化镓,以及一种旨在提高工业MBE和PVD制造工艺中Ga₂O₃生长速率的新型高密度氧自由基源。
2026年2月:Novel Crystal Technology公司已开始向下一代功率半导体开发部门交付150毫米氧化镓衬底样品。更大直径的衬底旨在提高器件生产效率,降低制造成本,并加速氧化镓功率器件从研究规模生产向商业化生产的过渡。
2025年10月:美国和澳大利亚政府同意支持美国铝业公司(Alcoa)拟建的位于西澳大利亚氧化铝精炼厂旁的镓生产设施。澳大利亚承诺提供高达2亿美元的优惠股权融资,而两国政府均获得了潜在的承购权。该拟建设施最终可满足全球约10%的镓需求,从而增强氧化镓和其他化合物半导体材料的原料供应。