01 Der steigende Marktanteil von Galliumoxid im Prognosezeitraum ist auf das Wachstum der Halbleiterindustrie und die zunehmende Nachfrage nach diesen Transistoren zurückzuführen. Der globale Markt verzeichnet ein Wachstum aufgrund des steigenden Bedarfs an leistungsstarker Leistungselektronik und energieeffizienten Produkten. Galliumoxid, auch bekannt als Galliumsesquioxid (Ga₂O₃), ist als weißes Pulver aus stäbchenförmigen Kristallen erhältlich, wobei die β-Phase die häufigste Kristallform darstellt. Ga₂O₃ findet in verschiedenen Anwendungen Verwendung, darunter Leuchtstoffe, Kathoden für Festoxidbrennstoffzellen, GGG-Kristalle (Gallium-Gadolinium-Granat), piezoelektrische Kristalle und Sputtertargets für GIZO- oder IGZO-Materialien. Dieses Halbleitermaterial besitzt eine größere Bandlücke als Galliumnitrid, Silizium und Siliziumkarbid. Aufgrund seiner großen Bandlücke wird es zunehmend als bevorzugtes Material für die Entwicklung von solarblinden Photodetektoren und Leistungselektronikbauteilen eingesetzt, insbesondere unter anspruchsvollen Umgebungsbedingungen.
April 2026 Die Indium Corporation hat vom US-Energieministerium einen Zuschuss in Höhe von 3,2 Millionen US-Dollar erhalten, um ein inländisches Verfahren zur Gewinnung von hochreinem Gallium aus Produktionsnebenprodukten zu entwickeln und zu vermarkten. Das Projekt wird am Standort des Unternehmens in Rome, New York, durchgeführt und soll zu einem produktionsreifen System ausgebaut werden, das jährlich mindestens eine Tonne Gallium der Reinheitsklasse 4N herstellen kann. Die Indium Corporation liefert Galliumoxid und andere Galliumverbindungen an Halbleiter- und Elektronikhersteller.
März 2026:Die Universität Nagoya und ihr Spin-off-Unternehmen NU-Rei Co., Ltd. haben sechs Technologien zur Herstellung von Galliumoxid-Dünnschichten für die Kommerzialisierung weiterentwickelt. Zu den Entwicklungen zählen die erstmalige Beschreibung des heteroepitaktischen Wachstums von Galliumoxid auf kostengünstigeren Siliziumsubstraten sowie eine neue, hochdichte Sauerstoffradikalquelle zur Verbesserung der Ga₂O₃-Wachstumsraten für industrielle MBE- und PVD-Fertigungsprozesse.
Februar 2026:Novel Crystal Technology hat mit der Auslieferung von Mustern von 150-mm-Galliumoxidsubstraten für die Entwicklung von Leistungshalbleitern der nächsten Generation begonnen. Die Substrate mit größerem Durchmesser sollen eine höhere Produktivität der Bauelemente ermöglichen, die Herstellungskosten senken und den Übergang von Ga₂O₃-Leistungshalbleitern von der Forschung zur kommerziellen Fertigung beschleunigen.
Oktober 2025:Die Regierungen der USA und Australiens haben sich darauf geeinigt, Alcoas geplante Galliumproduktionsanlage neben der Aluminiumoxidraffinerie in Westaustralien zu unterstützen. Australien sagte eine Eigenkapitalfinanzierung von bis zu 200 Millionen US-Dollar zu, während sich beide Regierungen potenzielle Abnahmerechte sicherten. Die geplante Anlage könnte letztendlich etwa 10 % des weltweiten Galliumbedarfs decken und so die Rohstoffversorgung für Galliumoxid und andere Halbleiterwerkstoffe verbessern.