01 El mercado mundial de semiconductores compuestos alcanzó un valor de 34.560 millones de dólares en 2025 y se prevé que crezca de 38.450 millones de dólares en 2026 a 90.210 millones de dólares en 2034, registrando una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) del 11,25% durante el período de previsión de 2026 a 2034. La región de Asia-Pacífico dominó el mercado de semiconductores compuestos con una cuota de mercado del 42,5% en 2025.Las importantes ventajas de rendimiento que ofrecen los semiconductores compuestos son absolutamente necesarias para un espectro cada vez mayor de aplicaciones tecnológicas. El silicio no puede operar a velocidades superiores a las de semiconductores compuestos como el GaAs y el InP. Los semiconductores compuestos también pueden producir y recibir una amplia gama de radiación electromagnética, desde luz infrarroja de onda larga hasta luz ultravioleta y visible de alta frecuencia. Los materiales semiconductores compuestos también tienen la capacidad de detectar y emitir luz en forma de comunicaciones e iluminación general (LED) (láseres y receptores para fibra óptica). Las obleas de semiconductores compuestos se utilizan en diversos campos, como la energía fotovoltaica, la espintrónica, la microelectrónica y otros. Permiten un mejor rendimiento y una conmutación más rápida a alta potencia con mayor eficiencia energética. Una oblea pulida se recubre con capas de cristales individuales de carburo de silicio de varios micrómetros de espesor para crear una oblea epitaxial. Para lograr una producción impecable, se requiere un control preciso del espesor, la concentración de portadores y la densidad de defectos.
Mayo de 2026:Wolfspeed amplió la producción de obleas de carburo de silicio (SiC) de 200 mm en sus instalaciones de Mohawk Valley, reforzando así el suministro de semiconductores compuestos para vehículos eléctricos, energías renovables y electrónica de potencia industrial.
Marzo de 2026:Infineon Technologies presentó soluciones de semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC) de última generación para mejorar la eficiencia en aplicaciones automotrices, centros de datos de IA e industriales.
Octubre de 2025:onsemi amplió su capacidad de fabricación de carburo de silicio mediante nuevas inversiones en la producción de obleas avanzadas para satisfacer la creciente demanda de semiconductores de potencia de alto rendimiento.
Junio de 2025:Qorvo lanzó soluciones avanzadas de semiconductores de radiofrecuencia (RF) de nitruro de galio (GaN) diseñadas para mejorar el rendimiento de la infraestructura 5G y los sistemas de comunicación aeroespaciales y de defensa.