01 El mercado global de memorias de acceso aleatorio dinámico (DRAM) alcanzó un valor de 112.960 millones de dólares en 2025 y se prevé que crezca desde los 129.160 millones de dólares en 2026 hasta los 377.320 millones de dólares en 2034, registrando una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 14,34% durante el período de previsión de 2026 a 2034. América del Norte dominó el mercado de memorias DRAM con una cuota de mercado del 35,2% en 2025.El aumento de la cuota de mercado de la memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM) durante el período previsto está relacionado con la creciente construcción de ciudades inteligentes y la creciente demanda de productos electrónicos de consumo.La DRAM es un tipo de memoria semiconductora que almacena datos en condensadores, lo que la convierte en un componente clave en diversos dispositivos electrónicos. A diferencia de la RAM estática (SRAM), la DRAM requiere actualizaciones periódicas para mantener los datos. Aun así, su arquitectura simple, que involucra un solo transistor por celda de memoria, permite una mayor densidad y un menor coste, lo que la convierte en la opción preferida para aplicaciones de memoria a gran escala. La DRAM es crucial en diversos sectores, incluyendo la electrónica de consumo, las telecomunicaciones, la infraestructura de TI y las tecnologías inteligentes emergentes. El mercado global de DRAM está creciendo rápidamente, impulsado por la creciente necesidad de procesamiento, almacenamiento y potencia computacional de datos de alta velocidad en ciudades inteligentes, dispositivos IoT y aplicaciones de IA.
Junio de 2026:Micron Technology ha probado una memoria DDR5 RDIMM de 256 GB basada en su tecnología de proceso DRAM de 1 γ, que admite velocidades de hasta 9200 MT/s y está dirigida a plataformas de servidores de centros de datos y de IA de alta capacidad.
Marzo de 2026:Samsung Electronics y AMD ampliaron su colaboración estratégica para suministrar soluciones de memoria DDR5 de próxima generación para los procesadores AMD EPYC y la plataforma AMD Helios, junto con la colaboración en HBM4 para sistemas avanzados de computación de IA.
Enero de 2026:Nanya Technology presentó un plan de inversión de capital para 2026 de aproximadamente 50 mil millones de dólares taiwaneses y confirmó la validación funcional de su memoria DDR5 RDIMM de 128 GB a 5600/6400 Mb/s, con velocidades mono-die que alcanzan hasta 7200 Mb/s, fortaleciendo así su cartera de productos DRAM avanzados.
Diciembre de 2025:ChangXin Memory Technologies anunció sus planes para recaudar aproximadamente 29.500 millones de yuanes mediante una oferta pública inicial en Shanghái, cuyos fondos se destinarán a la modernización de las líneas de producción, la investigación y el desarrollo avanzados de DRAM y la expansión de las tecnologías de memoria de próxima generación y las capacidades de fabricación.