01 El mercado global de litografía ultravioleta extrema alcanzó un valor de 23.640 millones de dólares en 2025 y se prevé que crezca de 25.950 millones de dólares en 2026 a 54.660 millones de dólares en 2034, registrando una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) del 9,76% durante el período de previsión de 2026 a 2034. Taiwán dominó el mercado de litografía ultravioleta extrema con una cuota de mercado del 31,5% en 2025.Una de las técnicas de litografía de próxima generación (NGL) más avanzadas, utilizada para imprimir líneas de tan solo 30 nm de grosor y crear microprocesadores y microchips, es la litografía ultravioleta extrema (EUVL). Este método podría sustituir a la litografía óptica, que actualmente se utiliza para diseñar microcircuitos. El sistema EUVL graba en la oblea haces de luz ultravioleta sólida que se reflejan en ella.
Junio de 2026:ASML amplió su hoja de ruta tecnológica de litografía ultravioleta extrema (EUV) mediante el desarrollo de sistemas EUV de próxima generación, incluidas plataformas EUV de alta apertura numérica (High-NA), para respaldar los procesos avanzados de fabricación de semiconductores. La compañía se centró en mejorar las capacidades de fabricación de chips para inteligencia artificial, computación de alto rendimiento y aplicaciones de lógica avanzada.
Mayo de 2026:Intel amplió sus iniciativas de fabricación avanzada de semiconductores mediante la creciente adopción de tecnologías de litografía de próxima generación, incluidos los sistemas EUV, para dar soporte a nodos de proceso avanzados y mejorar las capacidades de fabricación de chips.
Abril de 2026:TSMC amplió su capacidad de fabricación de semiconductores mediante la integración de tecnologías de litografía EUV en nodos de proceso avanzados. La compañía se centró en mejorar la eficiencia de la producción y satisfacer la demanda de aplicaciones de IA, computación de alto rendimiento (HPC) y semiconductores de alto rendimiento.
Enero de 2026:ASML reforzó su colaboración con fabricantes de semiconductores y socios de investigación para acelerar el desarrollo y la implementación de sistemas de litografía EUV de alta apertura numérica. Estas iniciativas se centraron en facilitar el diseño de transistores más pequeños y arquitecturas de chips de próxima generación.