01 Los semiconductores de banda prohibida ancha se están trasladando a plataformas de obleas de mayor tamaño. El mercado de semiconductores de potencia está evolucionando hacia la fabricación de obleas de mayor tamaño para dispositivos de nitruro de galio y carburo de silicio. El GaN y el SiC ofrecen ventajas en eficiencia, velocidad de conmutación y densidad de potencia para aplicaciones como vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable, equipos industriales, cargadores y centros de datos. Los fabricantes están ampliando estas tecnologías a obleas de mayor tamaño para aumentar la producción de chips y mejorar la rentabilidad. En el caso del GaN, el paso de la fabricación de 200 mm a 300 mm permite producir una cantidad sustancialmente mayor de chips por oblea, al tiempo que permite a los fabricantes utilizar la infraestructura de alto volumen ya existente. Esta tendencia podría reducir gradualmente la diferencia de costes entre los dispositivos de banda prohibida ancha y los semiconductores de potencia de silicio convencionales, impulsando así una mayor adopción comercial. En julio de 2025, Infineon informó que su plan de fabricación de GaN de 300 mm avanzaba según lo previsto, y que la oblea de mayor tamaño proporcionaba 2,3 veces más chips por oblea que la producción de 200 mm.
01 La adopción récord de vehículos eléctricos está aumentando los requisitos de chips de alta potencia. El creciente aumento de la producción de vehículos eléctricos sigue siendo un factor clave, ya que estos requieren semiconductores de potencia en toda la estructura eléctrica y de transmisión. Estos dispositivos se utilizan en inversores de tracción, cargadores integrados, convertidores CC-CC, sistemas de baterías, equipos de carga y electrónica auxiliar. El SiC es especialmente valioso en sistemas de alto voltaje, ya que las menores pérdidas de potencia mejoran la eficiencia de conversión y permiten el uso de electrónica de potencia más compacta. A medida que los fabricantes avanzan hacia plataformas de vehículos de mayor voltaje y una carga más rápida, el rendimiento de los semiconductores cobra cada vez más importancia. La creciente flota de vehículos eléctricos también genera demanda más allá de los vehículos, a través de la infraestructura de carga. Por lo tanto, la electrificación continua respalda el consumo a largo plazo de IGBT y MOSFET de silicio, junto con el SiC, de rápido crecimiento, y otras tecnologías de potencia de banda ancha.
01 La recuperación desigual de los sectores industrial y automotriz puede provocar que la capacidad productiva quede infrautilizada. Los fabricantes de semiconductores de potencia se enfrentan a una demanda cíclica en los sectores de equipos industriales, electrónica automotriz, productos de consumo y sistemas energéticos. La construcción de fábricas de semiconductores requiere una inversión sustancial y largos periodos de planificación, mientras que los inventarios de los clientes y la demanda de equipos pueden variar con mucha mayor rapidez. Este desajuste puede generar periodos de capacidad subutilizada y presión sobre los precios. El problema se agrava cuando los fabricantes invierten simultáneamente en la producción de nuevos semiconductores de SiC de 200 mm, silicio de 300 mm y GaN. Si bien la demanda de IA es fuerte, la recuperación en otras aplicaciones de semiconductores sigue siendo desigual. Por lo tanto, los productores deben equilibrar la expansión de la capacidad a largo plazo con la utilización a corto plazo, los inventarios y las condiciones de precios, lo que puede retrasar las inversiones y reducir la rentabilidad cuando la demanda del mercado final disminuye inesperadamente.
01 La fabricación regional de chips de potencia está atrayendo grandes inversiones estratégicas. La resiliencia de la cadena de suministro ofrece una gran oportunidad para que los fabricantes de semiconductores de potencia establezcan producción regional cerca de sus clientes de los sectores automotriz, industrial, energético y tecnológico. Los gobiernos consideran cada vez más la electrónica de potencia como estratégicamente importante, ya que los chips eficientes impulsan la electrificación, las energías renovables, los sistemas de carga, las redes eléctricas y la infraestructura digital. Los incentivos públicos pueden reducir la carga financiera de la construcción de fábricas avanzadas y fomentar la fabricación integrada verticalmente. Europa participa activamente en el apoyo a la capacidad de SiC y semiconductores de potencia discretos en el marco de su estrategia de semiconductores. Esto crea oportunidades para proveedores de equipos, productores de obleas, empresas de embalaje, proveedores de materiales y fabricantes de chips, además de las propias fábricas. La fabricación regional también puede reducir la dependencia de cadenas de suministro de semiconductores concentradas geográficamente y mejorar la seguridad del suministro para los clientes.
01 Ampliar la fabricación de SiC requiere control a lo largo de una cadena de valor compleja. Mantener altos rendimientos y una calidad constante en los dispositivos sigue siendo un reto a medida que aumenta la producción de semiconductores de potencia de SiC. A diferencia de la fabricación de silicio tradicional, el SiC requiere un crecimiento de cristales, sustratos, epitaxia, procesamiento de obleas, fabricación de dispositivos, pruebas y ensamblaje de módulos especializados. La integración vertical puede mejorar la calidad y la seguridad del suministro, pero también exige una inversión sustancial de capital, experiencia técnica y coordinación en múltiples etapas de producción. Por lo tanto, el desafío no reside simplemente en aumentar la capacidad de producción de obleas; los productores deben lograr una producción fiable de alto volumen, cumpliendo al mismo tiempo con los estrictos requisitos de eficiencia, durabilidad y larga vida útil de los sectores automotriz e industrial.
Junio de 2025:Mitsubishi Electric firmó un Memorando de Entendimiento (MoU) con GE Vernova para fortalecer la cooperación en semiconductores de potencia para sistemas de transmisión HVDC, apoyando la expansión de la producción de semiconductores de potencia IGBT y acelerando el despliegue de infraestructura de energía renovable.
Junio de 2025:RIR Power Electronics amplió la fabricación y los envíos comerciales de diodos Schottky de barrera de carburo de silicio (SiC) de 1200 V mediante su colaboración con Pro Asia Semiconductor Corporation (PASC), de Taiwán, aumentando la capacidad de producción para aplicaciones automotrices, industriales, de energías renovables y de defensa.
Junio de 2025:Empower Semiconductor y Marvell Technology han firmado un acuerdo de colaboración para desarrollar soluciones integradas de suministro de energía de próxima generación para plataformas de IA y en la nube, combinando tecnología de regulador de voltaje integrado con plataformas de silicio personalizadas para mejorar la eficiencia energética.
Junio de 2025:Kaynes Semicon firmó un acuerdo de compra de activos con Fujitsu General Electronics para adquirir líneas de producción de módulos de potencia y activos de fabricación relacionados, ampliando así su capacidad de fabricación de semiconductores para dispositivos semiconductores de potencia.