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半導体ファウンドリ市場規模、シェア、トレンド分析レポート：技術ノード別（<5nm、5nm～6nm、7nm～9nm、10nm～13nm、14nm～19nm、その他）、ファウンドリタイプ別（ファウンドリ専業、ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー）、技術別（CMOS、FinFET、FDSOI、ゲートオールアラウンド、シリコンフォトニクス、その他）、用途別（家電、自動車、産業機器、通信機器、データセンター＆HPC、その他）、地域別（北米、欧州、アジア太平洋、中東・アフリカ、ラテンアメリカ）、予測、2026～2034年

最終更新: August 13, 2026 | 著者: Pavan Warade | 形式:
概要 目次 セグメンテーション 方法論
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市場セグメンテーション

  1. 半導体ファウンドリ市場, テクノロジーノードによる 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
    1. <5nm
    2. 5nm～6nm
    3. 7nm～9nm
    4. 10nm～13nm
    5. 14nm～19nm
    6. 20nm～27nm
    7. 28nm～44nm
    8. 45nm～64nm
    9. 65nm～89nm
    10. ≥90nm
  2. 半導体ファウンドリ市場, 鋳造所タイプ別 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
    1. 純粋な鋳造工場
    2. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
  3. 半導体ファウンドリ市場, テクノロジーによる 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
    1. CMOS
    2. FinFET
    3. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
    4. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
    5. シリコンフォトニクス
    6. MEMS（マイクロ電気機械システム）
    7. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
  4. 半導体ファウンドリ市場, 応募制 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
    1. 家電
    2. 自動車
    3. 工業
    4. 電気通信
    5. データセンターとHPC
    6. 医療機器
    7. その他
  5. 地域別 半導体ファウンドリ市場
    1. 北アメリカ
      1. 北アメリカ 半導体ファウンドリ市場 テクノロジーノードによる 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
      2. 北アメリカ 半導体ファウンドリ市場 鋳造所タイプ別 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. 純粋な鋳造工場
        2. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
      3. 北アメリカ 半導体ファウンドリ市場 テクノロジーによる 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. CMOS
        2. FinFET
        3. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        4. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        5. シリコンフォトニクス
        6. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        7. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
      4. 北アメリカ 半導体ファウンドリ市場 応募制 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. 家電
        2. 自動車
        3. 工業
        4. 電気通信
        5. データセンターとHPC
        6. 医療機器
        7. その他
      5. アメリカ
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      6. カナダ
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
    2. ヨーロッパ
      1. ヨーロッパ 半導体ファウンドリ市場 テクノロジーノードによる 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
      2. ヨーロッパ 半導体ファウンドリ市場 鋳造所タイプ別 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. 純粋な鋳造工場
        2. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
      3. ヨーロッパ 半導体ファウンドリ市場 テクノロジーによる 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. CMOS
        2. FinFET
        3. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        4. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        5. シリコンフォトニクス
        6. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        7. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
      4. ヨーロッパ 半導体ファウンドリ市場 応募制 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. 家電
        2. 自動車
        3. 工業
        4. 電気通信
        5. データセンターとHPC
        6. 医療機器
        7. その他
      5. イギリス
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      6. ドイツ
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      7. フランス
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      8. スペイン
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      9. イタリア
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      10. ロシア
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      11. ノルディック
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      12. ベネルクス
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      13. ヨーロッパのその他の地域
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
    3. APAC
      1. APAC 半導体ファウンドリ市場 テクノロジーノードによる 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
      2. APAC 半導体ファウンドリ市場 鋳造所タイプ別 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. 純粋な鋳造工場
        2. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
      3. APAC 半導体ファウンドリ市場 テクノロジーによる 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. CMOS
        2. FinFET
        3. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        4. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        5. シリコンフォトニクス
        6. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        7. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
      4. APAC 半導体ファウンドリ市場 応募制 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. 家電
        2. 自動車
        3. 工業
        4. 電気通信
        5. データセンターとHPC
        6. 医療機器
        7. その他
      5. 中国
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      6. 韓国
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      7. 日本
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      8. インド
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      9. オーストラリア
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      10. 台湾
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      11. 東南アジア
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      12. その他のアジア太平洋地域
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
    4. 中東諸国とアフリカ
      1. 中東諸国とアフリカ 半導体ファウンドリ市場 テクノロジーノードによる 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
      2. 中東諸国とアフリカ 半導体ファウンドリ市場 鋳造所タイプ別 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. 純粋な鋳造工場
        2. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
      3. 中東諸国とアフリカ 半導体ファウンドリ市場 テクノロジーによる 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. CMOS
        2. FinFET
        3. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        4. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        5. シリコンフォトニクス
        6. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        7. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
      4. 中東諸国とアフリカ 半導体ファウンドリ市場 応募制 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. 家電
        2. 自動車
        3. 工業
        4. 電気通信
        5. データセンターとHPC
        6. 医療機器
        7. その他
      5. UAE
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      6. トルコ
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      7. サウジアラビア
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      8. 南アフリカ
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      9. エジプト
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      10. ナイジェリア
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      11. 中東諸国とアフリカの残りの部分
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
    5. LATAM
      1. LATAM 半導体ファウンドリ市場 テクノロジーノードによる 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
      2. LATAM 半導体ファウンドリ市場 鋳造所タイプ別 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. 純粋な鋳造工場
        2. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
      3. LATAM 半導体ファウンドリ市場 テクノロジーによる 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. CMOS
        2. FinFET
        3. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        4. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        5. シリコンフォトニクス
        6. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        7. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
      4. LATAM 半導体ファウンドリ市場 応募制 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. 家電
        2. 自動車
        3. 工業
        4. 電気通信
        5. データセンターとHPC
        6. 医療機器
        7. その他
      5. ブラジル
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      6. メキシコ
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      7. アルゼンチン
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      8. チリ
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      9. コロンビア
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
      10. LATAMのその他の地域
        1. <5nm
        2. 5nm～6nm
        3. 7nm～9nm
        4. 10nm～13nm
        5. 14nm～19nm
        6. 20nm～27nm
        7. 28nm～44nm
        8. 45nm～64nm
        9. 65nm～89nm
        10. ≥90nm
        11. 純粋な鋳造工場
        12. ファウンドリサービスを提供する統合デバイスメーカー（IDM）
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）
        16. ゲートオールアラウンド（GAA）／ナノシート
        17. シリコンフォトニクス
        18. MEMS（マイクロ電気機械システム）
        19. 化合物半導体（GaN、GaAs、SiC）
        20. 家電
        21. 自動車
        22. 工業
        23. 電気通信
        24. データセンターとHPC
        25. 医療機器
        26. その他
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