ホーム Semiconductor & Electronics 2033年までの世界の化合物半導体市場規模、シェア、成長予測

化合物半導体市場 サイズと展望 2025-2033

化合物半導体市場の規模、シェア、トレンド分析レポート。タイプ別（III-V族化合物半導体、II-VI族化合物半導体、サファイア、IV-IV族化合物半導体）、堆積技術別（化学蒸着法、分子線エピタキシー法、ハイドライド気相成長法、アンモノサーマル法、液相エピタキシー法、原子層堆積法）、製品別（パワー半導体、トランジスタ、集積回路、ダイオード、整流器）、アプリケーション別（IT・通信、産業・エネルギー・電力、航空宇宙・防衛、自動車、民生用電子機器、ヘルスケア）、地域別（北米、ヨーロッパ、アジア太平洋地

レポートコード: SRSE3952DR
公開済み : Sep, 2025
ページ : 110
著者 : Rushabh Rai
フォーマット : PDF, Excel
今すぐ購入
無料サンプルダウンロード

目次

  1. エグゼクティブ・サマリー
    1. 研究目的
    2. 限界と前提
    3. 市場範囲とセグメンテーション
    4. 通貨と価格を考慮
    1. 新興地域／国
    2. 新興企業
    3. 新たな用途／最終用途
    1. ドライバー
    2. 市場警告要因
    3. 最新のマクロ経済指標
    4. 地政学的影響
    5. 技術的要因
    1. ポーターズファイブフォース分析
    2. バリューチェーン分析
  2. ESGの動向
    1. グローバル 化合物半導体市場 はじめに
    2. 種類別
      1. はじめに
        1. 種類別 (価値)
      2. III-V族化合物半導体
        1. 価値別
      3. II-VI族化合物半導体
        1. 価値別
      4. サファイア
        1. 価値別
      5. IV-IV族化合物半導体
        1. 価値別
    3. 成膜技術別
      1. はじめに
        1. 成膜技術別 (価値)
      2. 化学蒸着法
        1. 価値別
      3. 分子線エピタキシー法
        1. 価値別
      4. ハイドライド気相成長法
        1. 価値別
      5. アンモノサーマル法
        1. 価値別
      6. 液相エピタキシー法
        1. 価値別
      7. 原子層堆積法
        1. 価値別
    4. 製品別
      1. はじめに
        1. 製品別 (価値)
      2. 電力半導体
        1. 価値別
      3. トランジスタ
        1. 価値別
      4. 集積回路
        1. 価値別
      5. ダイオードと整流器
        1. 価値別
    5. 用途別
      1. はじめに
        1. 用途別 (価値)
      2. ITと通信
        1. 価値別
      3. 産業機器、エネルギーと電力
        1. 価値別
      4. 航空宇宙と防衛
        1. 価値別
      5. 自動車
        1. 価値別
      6. 民生用電子機器
        1. 価値別
      7. ヘルスケア
        1. 価値別
    1. はじめに
    2. 種類別
      1. はじめに
        1. 種類別 (価値)
      2. III-V族化合物半導体
        1. 価値別
      3. II-VI族化合物半導体
        1. 価値別
      4. サファイア
        1. 価値別
      5. IV-IV族化合物半導体
        1. 価値別
    3. 成膜技術別
      1. はじめに
        1. 成膜技術別 (価値)
      2. 化学蒸着法
        1. 価値別
      3. 分子線エピタキシー法
        1. 価値別
      4. ハイドライド気相成長法
        1. 価値別
      5. アンモノサーマル法
        1. 価値別
      6. 液相エピタキシー法
        1. 価値別
      7. 原子層堆積法
        1. 価値別
    4. 製品別
      1. はじめに
        1. 製品別 (価値)
      2. 電力半導体
        1. 価値別
      3. トランジスタ
        1. 価値別
      4. 集積回路
        1. 価値別
      5. ダイオードと整流器
        1. 価値別
    5. 用途別
      1. はじめに
        1. 用途別 (価値)
      2. ITと通信
        1. 価値別
      3. 産業機器、エネルギーと電力
        1. 価値別
      4. 航空宇宙と防衛
        1. 価値別
      5. 自動車
        1. 価値別
      6. 民生用電子機器
        1. 価値別
      7. ヘルスケア
        1. 価値別
    6. アメリカ
      1. 種類別
        1. はじめに
          1. 種類別 (価値)
        2. III-V族化合物半導体
          1. 価値別
        3. II-VI族化合物半導体
          1. 価値別
        4. サファイア
          1. 価値別
        5. IV-IV族化合物半導体
          1. 価値別
      2. 成膜技術別
        1. はじめに
          1. 成膜技術別 (価値)
        2. 化学蒸着法
          1. 価値別
        3. 分子線エピタキシー法
          1. 価値別
        4. ハイドライド気相成長法
          1. 価値別
        5. アンモノサーマル法
          1. 価値別
        6. 液相エピタキシー法
          1. 価値別
        7. 原子層堆積法
          1. 価値別
      3. 製品別
        1. はじめに
          1. 製品別 (価値)
        2. 電力半導体
          1. 価値別
        3. トランジスタ
          1. 価値別
        4. 集積回路
          1. 価値別
        5. ダイオードと整流器
          1. 価値別
      4. 用途別
        1. はじめに
          1. 用途別 (価値)
        2. ITと通信
          1. 価値別
        3. 産業機器、エネルギーと電力
          1. 価値別
        4. 航空宇宙と防衛
          1. 価値別
        5. 自動車
          1. 価値別
        6. 民生用電子機器
          1. 価値別
        7. ヘルスケア
          1. 価値別
    7. カナダ
    1. はじめに
    2. 種類別
      1. はじめに
        1. 種類別 (価値)
      2. III-V族化合物半導体
        1. 価値別
      3. II-VI族化合物半導体
        1. 価値別
      4. サファイア
        1. 価値別
      5. IV-IV族化合物半導体
        1. 価値別
    3. 成膜技術別
      1. はじめに
        1. 成膜技術別 (価値)
      2. 化学蒸着法
        1. 価値別
      3. 分子線エピタキシー法
        1. 価値別
      4. ハイドライド気相成長法
        1. 価値別
      5. アンモノサーマル法
        1. 価値別
      6. 液相エピタキシー法
        1. 価値別
      7. 原子層堆積法
        1. 価値別
    4. 製品別
      1. はじめに
        1. 製品別 (価値)
      2. 電力半導体
        1. 価値別
      3. トランジスタ
        1. 価値別
      4. 集積回路
        1. 価値別
      5. ダイオードと整流器
        1. 価値別
    5. 用途別
      1. はじめに
        1. 用途別 (価値)
      2. ITと通信
        1. 価値別
      3. 産業機器、エネルギーと電力
        1. 価値別
      4. 航空宇宙と防衛
        1. 価値別
      5. 自動車
        1. 価値別
      6. 民生用電子機器
        1. 価値別
      7. ヘルスケア
        1. 価値別
    6. イギリス
      1. 種類別
        1. はじめに
          1. 種類別 (価値)
        2. III-V族化合物半導体
          1. 価値別
        3. II-VI族化合物半導体
          1. 価値別
        4. サファイア
          1. 価値別
        5. IV-IV族化合物半導体
          1. 価値別
      2. 成膜技術別
        1. はじめに
          1. 成膜技術別 (価値)
        2. 化学蒸着法
          1. 価値別
        3. 分子線エピタキシー法
          1. 価値別
        4. ハイドライド気相成長法
          1. 価値別
        5. アンモノサーマル法
          1. 価値別
        6. 液相エピタキシー法
          1. 価値別
        7. 原子層堆積法
          1. 価値別
      3. 製品別
        1. はじめに
          1. 製品別 (価値)
        2. 電力半導体
          1. 価値別
        3. トランジスタ
          1. 価値別
        4. 集積回路
          1. 価値別
        5. ダイオードと整流器
          1. 価値別
      4. 用途別
        1. はじめに
          1. 用途別 (価値)
        2. ITと通信
          1. 価値別
        3. 産業機器、エネルギーと電力
          1. 価値別
        4. 航空宇宙と防衛
          1. 価値別
        5. 自動車
          1. 価値別
        6. 民生用電子機器
          1. 価値別
        7. ヘルスケア
          1. 価値別
    7. ドイツ
    8. フランス
    9. スペイン
    10. イタリア
    11. ロシア
    12. ノルディック
    13. ベネルクス
    14. ヨーロッパのその他の地域
    1. はじめに
    2. 種類別
      1. はじめに
        1. 種類別 (価値)
      2. III-V族化合物半導体
        1. 価値別
      3. II-VI族化合物半導体
        1. 価値別
      4. サファイア
        1. 価値別
      5. IV-IV族化合物半導体
        1. 価値別
    3. 成膜技術別
      1. はじめに
        1. 成膜技術別 (価値)
      2. 化学蒸着法
        1. 価値別
      3. 分子線エピタキシー法
        1. 価値別
      4. ハイドライド気相成長法
        1. 価値別
      5. アンモノサーマル法
        1. 価値別
      6. 液相エピタキシー法
        1. 価値別
      7. 原子層堆積法
        1. 価値別
    4. 製品別
      1. はじめに
        1. 製品別 (価値)
      2. 電力半導体
        1. 価値別
      3. トランジスタ
        1. 価値別
      4. 集積回路
        1. 価値別
      5. ダイオードと整流器
        1. 価値別
    5. 用途別
      1. はじめに
        1. 用途別 (価値)
      2. ITと通信
        1. 価値別
      3. 産業機器、エネルギーと電力
        1. 価値別
      4. 航空宇宙と防衛
        1. 価値別
      5. 自動車
        1. 価値別
      6. 民生用電子機器
        1. 価値別
      7. ヘルスケア
        1. 価値別
    6. 中国
      1. 種類別
        1. はじめに
          1. 種類別 (価値)
        2. III-V族化合物半導体
          1. 価値別
        3. II-VI族化合物半導体
          1. 価値別
        4. サファイア
          1. 価値別
        5. IV-IV族化合物半導体
          1. 価値別
      2. 成膜技術別
        1. はじめに
          1. 成膜技術別 (価値)
        2. 化学蒸着法
          1. 価値別
        3. 分子線エピタキシー法
          1. 価値別
        4. ハイドライド気相成長法
          1. 価値別
        5. アンモノサーマル法
          1. 価値別
        6. 液相エピタキシー法
          1. 価値別
        7. 原子層堆積法
          1. 価値別
      3. 製品別
        1. はじめに
          1. 製品別 (価値)
        2. 電力半導体
          1. 価値別
        3. トランジスタ
          1. 価値別
        4. 集積回路
          1. 価値別
        5. ダイオードと整流器
          1. 価値別
      4. 用途別
        1. はじめに
          1. 用途別 (価値)
        2. ITと通信
          1. 価値別
        3. 産業機器、エネルギーと電力
          1. 価値別
        4. 航空宇宙と防衛
          1. 価値別
        5. 自動車
          1. 価値別
        6. 民生用電子機器
          1. 価値別
        7. ヘルスケア
          1. 価値別
    7. 韓国
    8. 日本
    9. インド
    10. オーストラリア
    11. 台湾
    12. 東南アジア
    13. その他のアジア太平洋地域
    1. はじめに
    2. 種類別
      1. はじめに
        1. 種類別 (価値)
      2. III-V族化合物半導体
        1. 価値別
      3. II-VI族化合物半導体
        1. 価値別
      4. サファイア
        1. 価値別
      5. IV-IV族化合物半導体
        1. 価値別
    3. 成膜技術別
      1. はじめに
        1. 成膜技術別 (価値)
      2. 化学蒸着法
        1. 価値別
      3. 分子線エピタキシー法
        1. 価値別
      4. ハイドライド気相成長法
        1. 価値別
      5. アンモノサーマル法
        1. 価値別
      6. 液相エピタキシー法
        1. 価値別
      7. 原子層堆積法
        1. 価値別
    4. 製品別
      1. はじめに
        1. 製品別 (価値)
      2. 電力半導体
        1. 価値別
      3. トランジスタ
        1. 価値別
      4. 集積回路
        1. 価値別
      5. ダイオードと整流器
        1. 価値別
    5. 用途別
      1. はじめに
        1. 用途別 (価値)
      2. ITと通信
        1. 価値別
      3. 産業機器、エネルギーと電力
        1. 価値別
      4. 航空宇宙と防衛
        1. 価値別
      5. 自動車
        1. 価値別
      6. 民生用電子機器
        1. 価値別
      7. ヘルスケア
        1. 価値別
    6. UAE
      1. 種類別
        1. はじめに
          1. 種類別 (価値)
        2. III-V族化合物半導体
          1. 価値別
        3. II-VI族化合物半導体
          1. 価値別
        4. サファイア
          1. 価値別
        5. IV-IV族化合物半導体
          1. 価値別
      2. 成膜技術別
        1. はじめに
          1. 成膜技術別 (価値)
        2. 化学蒸着法
          1. 価値別
        3. 分子線エピタキシー法
          1. 価値別
        4. ハイドライド気相成長法
          1. 価値別
        5. アンモノサーマル法
          1. 価値別
        6. 液相エピタキシー法
          1. 価値別
        7. 原子層堆積法
          1. 価値別
      3. 製品別
        1. はじめに
          1. 製品別 (価値)
        2. 電力半導体
          1. 価値別
        3. トランジスタ
          1. 価値別
        4. 集積回路
          1. 価値別
        5. ダイオードと整流器
          1. 価値別
      4. 用途別
        1. はじめに
          1. 用途別 (価値)
        2. ITと通信
          1. 価値別
        3. 産業機器、エネルギーと電力
          1. 価値別
        4. 航空宇宙と防衛
          1. 価値別
        5. 自動車
          1. 価値別
        6. 民生用電子機器
          1. 価値別
        7. ヘルスケア
          1. 価値別
    7. トルコ
    8. サウジアラビア
    9. 南アフリカ
    10. エジプト
    11. ナイジェリア
    12. 中東諸国とアフリカの残りの部分
    1. はじめに
    2. 種類別
      1. はじめに
        1. 種類別 (価値)
      2. III-V族化合物半導体
        1. 価値別
      3. II-VI族化合物半導体
        1. 価値別
      4. サファイア
        1. 価値別
      5. IV-IV族化合物半導体
        1. 価値別
    3. 成膜技術別
      1. はじめに
        1. 成膜技術別 (価値)
      2. 化学蒸着法
        1. 価値別
      3. 分子線エピタキシー法
        1. 価値別
      4. ハイドライド気相成長法
        1. 価値別
      5. アンモノサーマル法
        1. 価値別
      6. 液相エピタキシー法
        1. 価値別
      7. 原子層堆積法
        1. 価値別
    4. 製品別
      1. はじめに
        1. 製品別 (価値)
      2. 電力半導体
        1. 価値別
      3. トランジスタ
        1. 価値別
      4. 集積回路
        1. 価値別
      5. ダイオードと整流器
        1. 価値別
    5. 用途別
      1. はじめに
        1. 用途別 (価値)
      2. ITと通信
        1. 価値別
      3. 産業機器、エネルギーと電力
        1. 価値別
      4. 航空宇宙と防衛
        1. 価値別
      5. 自動車
        1. 価値別
      6. 民生用電子機器
        1. 価値別
      7. ヘルスケア
        1. 価値別
    6. ブラジル
      1. 種類別
        1. はじめに
          1. 種類別 (価値)
        2. III-V族化合物半導体
          1. 価値別
        3. II-VI族化合物半導体
          1. 価値別
        4. サファイア
          1. 価値別
        5. IV-IV族化合物半導体
          1. 価値別
      2. 成膜技術別
        1. はじめに
          1. 成膜技術別 (価値)
        2. 化学蒸着法
          1. 価値別
        3. 分子線エピタキシー法
          1. 価値別
        4. ハイドライド気相成長法
          1. 価値別
        5. アンモノサーマル法
          1. 価値別
        6. 液相エピタキシー法
          1. 価値別
        7. 原子層堆積法
          1. 価値別
      3. 製品別
        1. はじめに
          1. 製品別 (価値)
        2. 電力半導体
          1. 価値別
        3. トランジスタ
          1. 価値別
        4. 集積回路
          1. 価値別
        5. ダイオードと整流器
          1. 価値別
      4. 用途別
        1. はじめに
          1. 用途別 (価値)
        2. ITと通信
          1. 価値別
        3. 産業機器、エネルギーと電力
          1. 価値別
        4. 航空宇宙と防衛
          1. 価値別
        5. 自動車
          1. 価値別
        6. 民生用電子機器
          1. 価値別
        7. ヘルスケア
          1. 価値別
    7. メキシコ
    8. アルゼンチン
    9. チリ
    10. コロンビア
    11. LATAMのその他の地域
    1. 化合物半導体市場 選手別シェア
    2. M＆A契約と提携分析
    1. Cree Inc.
      1. 概要
      2. ビジネス情報
      3. 収益
      4. ASP
      5. スウォット分析
      6. 最近の動向
    2. Qorvo
    3. NXP Semiconductor N.V.
    4. Renesas Electronics Corporation
    5. Samsung Electronics
    6. Texas Instruments Inc.
    7. Infineon Technologies AG.
    1. 研究データ
      1. 二次データ
        1. 主な二次資料
        2. 二次資料からの主要データ
      2. 一次データ
        1. 一次資料からの主要データ
        2. 予備選の内訳
      3. 二次調査と一次調査
        1. 業界の主要な洞察
    2. 市場規模の推定
      1. ボトムアップ・アプローチ
      2. トップダウン・アプローチ
      3. 市場予測
    3. 研究の前提
      1. 前提条件
    4. 制限事項
    5. リスク評価
    1. ディスカッション・ガイド
    2. カスタマイズ・オプション
    3. 関連レポート
  3. 免責事項

無料サンプルダウンロード

このボタンは、上記のフォームが入力されると有効になります。

We are featured on :

Address:
Office 515 A, Amanora Chambers,
Amanora Park Town, Hadapsar,
Pune 411028, Maharashtra, India.
Contact Us:
+1 646 905 0080 (U.S.)
+91 8087085354 (India)
+44 203 695 0070 (U.K.)

sales@straitsresearch.com

Quick Links
Help
Verified. Protected. Secure.
DMCA.com Protection Status
Secure Payments:
Follow Us:
www.straitsresearch.com © Copyright . All rights Reserved.