01 世界のMRAM市場規模は、2025年には9億9577万米ドルと評価され、2026年の11億8178万米ドルから2034年には46億5111万米ドルに成長すると予測されており、2026年から2034年の予測期間中の年平均成長率(CAGR)は18.68%となる見込みです。アジア太平洋地域は、2025年に38.4%の市場シェアを占め、MRAM市場を牽引しました。磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)は、ランダムアクセスメモリにデータビットを保存する不揮発性方式であり、電気電荷ではなく磁気状態を利用します。これは、電源が投入されるまでしかデータを保持しないダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)やスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)とは異なります。MRAMは不揮発性ランダムアクセスメモリの一種であり、磁気ドメインに大量のデータを保存できます。MRAMは1980年代に開発されました。その支持者たちは、最終的には競合技術を凌駕して消費者に普及し、最も普及する、あるいは唯一のメモリタイプになると予測しています。現在のメモリ技術市場では、フラッシュRAMとDRAMが使用されていますが、これらは実用的な利点があるため、MRAM市場の成長を鈍化させています。
2026年6月:Everspin Technologiesは、産業機器、車載機器、ネットワーク機器、組み込み機器向け高性能磁気抵抗メモリソリューションの開発を進め、MRAM製品ポートフォリオを拡充した。同社は、次世代コンピューティングシステムにおけるメモリの信頼性、速度、耐久性の向上に注力している。
2026年5月:サムスン電子は、磁気抵抗メモリソリューションを含む次世代不揮発性メモリ技術の開発を進めることで、先進メモリの研究開発活動を拡大した。同社は、性能向上、電力効率の改善、半導体技術革新に注力した。
2026年4月:アバランチ・テクノロジー社は、航空宇宙、防衛、産業、およびミッションクリティカルな用途向けに、スピン伝達トルクMRAM(STT-MRAM)製品を開発することで、MRAMソリューションを拡充しました。同社は、耐久性を向上させた高信頼性メモリソリューションの提供に注力しています。
2026年1月:GlobalFoundriesは、MRAM製造プロセスと半導体統合ソリューションの進歩により、組み込みメモリ技術の能力を拡大した。同社は、自動車、IoT、産業用チップアプリケーションのサポートに注力している。