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RF GaN（高周波窒化ガリウム）市場 サイズと展望 2025-2033

RF GaN（無線周波数窒化ガリウム）市場規模、シェア、トレンド分析レポート - アプリケーション別（軍事通信インフラ（バックホール、RRH、マッシブMIMO、スモールセル）、衛星通信、有線ブロードバンド、商用レーダーおよびアビオニクス、RFエネルギー、その他のアプリケーション）、材料タイプ別（GaN-on-Si、GaN-on-SiC、その他の材料タイプ（GaN-on-GaN、GaN-on-Diamond））、地域別（北米、ヨーロッパ、APAC、中東およびアフリカ、ラテンアメリカ）予測、2025～2033年

レポートコード: SRSE3252DR
公開済み : Jul, 2025
ページ : 110
著者 : Tejas Zamde
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目次

  1. エグゼクティブ・サマリー
    1. 研究目的
    2. 限界と前提
    3. 市場範囲とセグメンテーション
    4. 通貨と価格を考慮
    1. 新興地域／国
    2. 新興企業
    3. 新たな用途／最終用途
    1. ドライバー
    2. 市場警告要因
    3. 最新のマクロ経済指標
    4. 地政学的影響
    5. 技術的要因
    1. ポーターズファイブフォース分析
    2. バリューチェーン分析
  2. ESGの動向
    1. グローバル RF GaN（高周波窒化ガリウム）市場 はじめに
    2. 用途別
      1. はじめに
        1. 用途別 (価値)
      2. 軍事通信インフラ（バックホール、RRH、Massive MIMO、スモールセル）
        1. 価値別
      3. 衛星通信
        1. 価値別
      4. 有線ブロードバンド
        1. 価値別
      5. 商用レーダーおよび航空電子機器
        1. 価値別
      6. RFエネルギー
        1. 価値別
      7. その他の用途
        1. 価値別
    3. 材料タイプ別
      1. はじめに
        1. 材料タイプ別 (価値)
      2. GaN-on-Si
        1. 価値別
      3. GaN-on-SiC
        1. 価値別
      4. その他の材料タイプ（GaN-on-GaN、GaN-on-Diamond）
        1. 価値別
    1. はじめに
    2. 用途別
      1. はじめに
        1. 用途別 (価値)
      2. 軍事通信インフラ（バックホール、RRH、Massive MIMO、スモールセル）
        1. 価値別
      3. 衛星通信
        1. 価値別
      4. 有線ブロードバンド
        1. 価値別
      5. 商用レーダーおよび航空電子機器
        1. 価値別
      6. RFエネルギー
        1. 価値別
      7. その他の用途
        1. 価値別
    3. 材料タイプ別
      1. はじめに
        1. 材料タイプ別 (価値)
      2. GaN-on-Si
        1. 価値別
      3. GaN-on-SiC
        1. 価値別
      4. その他の材料タイプ（GaN-on-GaN、GaN-on-Diamond）
        1. 価値別
    4. アメリカ
      1. 用途別
        1. はじめに
          1. 用途別 (価値)
        2. 軍事通信インフラ（バックホール、RRH、Massive MIMO、スモールセル）
          1. 価値別
        3. 衛星通信
          1. 価値別
        4. 有線ブロードバンド
          1. 価値別
        5. 商用レーダーおよび航空電子機器
          1. 価値別
        6. RFエネルギー
          1. 価値別
        7. その他の用途
          1. 価値別
      2. 材料タイプ別
        1. はじめに
          1. 材料タイプ別 (価値)
        2. GaN-on-Si
          1. 価値別
        3. GaN-on-SiC
          1. 価値別
        4. その他の材料タイプ（GaN-on-GaN、GaN-on-Diamond）
          1. 価値別
    5. カナダ
    1. はじめに
    2. 用途別
      1. はじめに
        1. 用途別 (価値)
      2. 軍事通信インフラ（バックホール、RRH、Massive MIMO、スモールセル）
        1. 価値別
      3. 衛星通信
        1. 価値別
      4. 有線ブロードバンド
        1. 価値別
      5. 商用レーダーおよび航空電子機器
        1. 価値別
      6. RFエネルギー
        1. 価値別
      7. その他の用途
        1. 価値別
    3. 材料タイプ別
      1. はじめに
        1. 材料タイプ別 (価値)
      2. GaN-on-Si
        1. 価値別
      3. GaN-on-SiC
        1. 価値別
      4. その他の材料タイプ（GaN-on-GaN、GaN-on-Diamond）
        1. 価値別
    4. イギリス
      1. 用途別
        1. はじめに
          1. 用途別 (価値)
        2. 軍事通信インフラ（バックホール、RRH、Massive MIMO、スモールセル）
          1. 価値別
        3. 衛星通信
          1. 価値別
        4. 有線ブロードバンド
          1. 価値別
        5. 商用レーダーおよび航空電子機器
          1. 価値別
        6. RFエネルギー
          1. 価値別
        7. その他の用途
          1. 価値別
      2. 材料タイプ別
        1. はじめに
          1. 材料タイプ別 (価値)
        2. GaN-on-Si
          1. 価値別
        3. GaN-on-SiC
          1. 価値別
        4. その他の材料タイプ（GaN-on-GaN、GaN-on-Diamond）
          1. 価値別
    5. ドイツ
    6. フランス
    7. スペイン
    8. イタリア
    9. ロシア
    10. ノルディック
    11. ベネルクス
    12. ヨーロッパのその他の地域
    1. はじめに
    2. 用途別
      1. はじめに
        1. 用途別 (価値)
      2. 軍事通信インフラ（バックホール、RRH、Massive MIMO、スモールセル）
        1. 価値別
      3. 衛星通信
        1. 価値別
      4. 有線ブロードバンド
        1. 価値別
      5. 商用レーダーおよび航空電子機器
        1. 価値別
      6. RFエネルギー
        1. 価値別
      7. その他の用途
        1. 価値別
    3. 材料タイプ別
      1. はじめに
        1. 材料タイプ別 (価値)
      2. GaN-on-Si
        1. 価値別
      3. GaN-on-SiC
        1. 価値別
      4. その他の材料タイプ（GaN-on-GaN、GaN-on-Diamond）
        1. 価値別
    4. 中国
      1. 用途別
        1. はじめに
          1. 用途別 (価値)
        2. 軍事通信インフラ（バックホール、RRH、Massive MIMO、スモールセル）
          1. 価値別
        3. 衛星通信
          1. 価値別
        4. 有線ブロードバンド
          1. 価値別
        5. 商用レーダーおよび航空電子機器
          1. 価値別
        6. RFエネルギー
          1. 価値別
        7. その他の用途
          1. 価値別
      2. 材料タイプ別
        1. はじめに
          1. 材料タイプ別 (価値)
        2. GaN-on-Si
          1. 価値別
        3. GaN-on-SiC
          1. 価値別
        4. その他の材料タイプ（GaN-on-GaN、GaN-on-Diamond）
          1. 価値別
    5. 韓国
    6. 日本
    7. インド
    8. オーストラリア
    9. 台湾
    10. 東南アジア
    11. その他のアジア太平洋地域
    1. はじめに
    2. 用途別
      1. はじめに
        1. 用途別 (価値)
      2. 軍事通信インフラ（バックホール、RRH、Massive MIMO、スモールセル）
        1. 価値別
      3. 衛星通信
        1. 価値別
      4. 有線ブロードバンド
        1. 価値別
      5. 商用レーダーおよび航空電子機器
        1. 価値別
      6. RFエネルギー
        1. 価値別
      7. その他の用途
        1. 価値別
    3. 材料タイプ別
      1. はじめに
        1. 材料タイプ別 (価値)
      2. GaN-on-Si
        1. 価値別
      3. GaN-on-SiC
        1. 価値別
      4. その他の材料タイプ（GaN-on-GaN、GaN-on-Diamond）
        1. 価値別
    4. UAE
      1. 用途別
        1. はじめに
          1. 用途別 (価値)
        2. 軍事通信インフラ（バックホール、RRH、Massive MIMO、スモールセル）
          1. 価値別
        3. 衛星通信
          1. 価値別
        4. 有線ブロードバンド
          1. 価値別
        5. 商用レーダーおよび航空電子機器
          1. 価値別
        6. RFエネルギー
          1. 価値別
        7. その他の用途
          1. 価値別
      2. 材料タイプ別
        1. はじめに
          1. 材料タイプ別 (価値)
        2. GaN-on-Si
          1. 価値別
        3. GaN-on-SiC
          1. 価値別
        4. その他の材料タイプ（GaN-on-GaN、GaN-on-Diamond）
          1. 価値別
    5. トルコ
    6. サウジアラビア
    7. 南アフリカ
    8. エジプト
    9. ナイジェリア
    10. 中東諸国とアフリカの残りの部分
    1. はじめに
    2. 用途別
      1. はじめに
        1. 用途別 (価値)
      2. 軍事通信インフラ（バックホール、RRH、Massive MIMO、スモールセル）
        1. 価値別
      3. 衛星通信
        1. 価値別
      4. 有線ブロードバンド
        1. 価値別
      5. 商用レーダーおよび航空電子機器
        1. 価値別
      6. RFエネルギー
        1. 価値別
      7. その他の用途
        1. 価値別
    3. 材料タイプ別
      1. はじめに
        1. 材料タイプ別 (価値)
      2. GaN-on-Si
        1. 価値別
      3. GaN-on-SiC
        1. 価値別
      4. その他の材料タイプ（GaN-on-GaN、GaN-on-Diamond）
        1. 価値別
    4. ブラジル
      1. 用途別
        1. はじめに
          1. 用途別 (価値)
        2. 軍事通信インフラ（バックホール、RRH、Massive MIMO、スモールセル）
          1. 価値別
        3. 衛星通信
          1. 価値別
        4. 有線ブロードバンド
          1. 価値別
        5. 商用レーダーおよび航空電子機器
          1. 価値別
        6. RFエネルギー
          1. 価値別
        7. その他の用途
          1. 価値別
      2. 材料タイプ別
        1. はじめに
          1. 材料タイプ別 (価値)
        2. GaN-on-Si
          1. 価値別
        3. GaN-on-SiC
          1. 価値別
        4. その他の材料タイプ（GaN-on-GaN、GaN-on-Diamond）
          1. 価値別
    5. メキシコ
    6. アルゼンチン
    7. チリ
    8. コロンビア
    9. LATAMのその他の地域
    1. RF GaN（高周波窒化ガリウム）市場 選手別シェア
    2. M＆A契約と提携分析
    1. RFHIC Corporation
      1. 概要
      2. ビジネス情報
      3. 収益
      4. ASP
      5. スウォット分析
      6. 最近の動向
    2. Wolfspeed Inc. (Cree Inc.)
    3. Integra Technologies Inc.
    4. Mitsubishi Electric Corporation
    5. Qorvo Inc.
    6. Analog Devices Inc.
    7. Microsemi Corporation (Microchip Technology Incorporated)
    8. Sumitomo Electric Device Innovations Inc.
    9. HRL Laboratories
    10. MACOM Technology Solutions Holdings Inc.
    11. Raytheon Technologies
    12. Mercury SystemsInc.
    1. 研究データ
      1. 二次データ
        1. 主な二次資料
        2. 二次資料からの主要データ
      2. 一次データ
        1. 一次資料からの主要データ
        2. 予備選の内訳
      3. 二次調査と一次調査
        1. 業界の主要な洞察
    2. 市場規模の推定
      1. ボトムアップ・アプローチ
      2. トップダウン・アプローチ
      3. 市場予測
    3. 研究の前提
      1. 前提条件
    4. 制限事項
    5. リスク評価
    1. ディスカッション・ガイド
    2. カスタマイズ・オプション
    3. 関連レポート
  3. 免責事項

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