01 전 세계 GAN 전력 장치 시장 규모는 2025년 6억 465만 달러였으며, 2026년 8억 2,111만 달러에서 2034년 94억 9,734만 달러로 성장할 것으로 예상되며, 2026년부터 2034년까지 연평균 성장률(CAGR)은 35.8%를 기록할 것으로 전망됩니다. 북미 지역은 2025년 35.5%의 시장 점유율로 GAN 전력 장치 시장을 주도했습니다.전자 회로는 시스템의 에너지 전달을 제어하기 위해 전력 반도체 소자를 사용합니다. 스위칭 모드 전원 공급 장치(SMPS)는 대부분의 장치에 사용되는 전력 반도체 소자의 한 종류입니다. 질화갈륨(GaN)은 GaN 전력 소자를 제작하는 데 사용되는 반도체입니다. GaN 전력 소자는 시스템의 전체 에너지 손실을 줄여줍니다. GaN 소자는 크기가 작고 고속 스위칭이 가능하며 시스템 크기를 줄일 수 있는 반면, 온 저항을 줄이기 위해 더 많은 칩 공간이 필요한 기존 트랜지스터와는 대조적입니다. GaN 소자는 탄화규소(SiC)나 다이아몬드와 같은 밴드갭이 넓은 다른 소재에 비해 유사한 특성을 더 낮은 비용으로 제공하기 때문에 선호됩니다.
2025년 8월:나비타스 반도체는 인공지능 인프라, 산업 시스템 및 전기 이동성 플랫폼을 포함한 고효율 전력 변환 애플리케이션을 대상으로 하는 고급 질화갈륨 전력 솔루션을 통해 GaNFast™ 기술 로드맵을 확장했습니다.
2025년 12월:나비타스 반도체와 사이엔트 반도체는 인도에서 GaN 기술 도입을 가속화하기 위한 전략적 파트너십을 발표했습니다. 이번 협력은 AI 데이터 센터, 전기 자동차, 산업 전력화 및 에너지 인프라 애플리케이션을 위한 GaN 기반 제품, 시스템 모듈 및 설계 플랫폼 개발에 중점을 둡니다.
2025년 10월:나비타스 세미컨덕터는 차세대 AI 팩토리 컴퓨팅 플랫폼을 위한 800V DC 전력 아키텍처를 지원하도록 설계된 새로운 GaN 및 SiC 전력 소자를 발표했습니다. 이 회사는 AI 데이터 센터 인프라의 효율성과 전력 밀도를 향상시키는 것을 목표로 하는 고전압 전력 솔루션과 함께 100V GaN FET를 소개했습니다.