01 El mercado mundial de semiconductores de potencia de carburo de silicio alcanzó un valor de 2790 millones de dólares en 2025 y se prevé que crezca de 3500 millones de dólares en 2026 a 21 580 millones de dólares en 2034, registrando una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) del 25,52 % durante el período de previsión de 2026 a 2034. La región de Asia-Pacífico dominó el mercado de semiconductores de potencia de carburo de silicio con una cuota de mercado del 43,2 % en 2025.El carburo de silicio (SiC) es un semiconductor compuesto formado por silicio y carburo. El SiC ofrece varias ventajas sobre el silicio, incluyendo la capacidad de implementar un mayor rango de control de tipo p y n, una resistencia al campo eléctrico de ruptura diez veces mayor y una banda prohibida tres veces mayor. Los materiales de banda prohibida ancha o alta, como el nitruro de aluminio, el nitruro de boro, el nitruro de galio, el carburo de silicio y el diamante, se han incorporado a aplicaciones que implican conmutación de potencia y altas temperaturas. En contraste, los materiales convencionales, como el silicio y el arseniuro de galio, han estado en el mercado de semiconductores desde la década de 1970. Algunas de las ventajas que los vehículos eléctricos aportan a la industria automotriz incluyen una mayor autonomía, tiempos de carga más rápidos y un rendimiento mejorado. Pero necesitan equipos electrónicos potentes que puedan funcionar correctamente incluso a altas temperaturas. Por lo tanto, se están desarrollando módulos de potencia utilizando tecnologías de SiC de banda prohibida ancha.
Septiembre de 2025:STMicroelectronics amplió su capacidad de producción de obleas de carburo de silicio de 200 mm en su campus de Catania, Italia, reforzando así sus capacidades de fabricación integrada para semiconductores de potencia de SiC de próxima generación.
Octubre de 2025:onsemi presentó la familia de MOSFET EliteSiC™ M3e, que ofrece una mayor densidad de potencia y eficiencia para vehículos eléctricos, centros de datos de IA e infraestructura energética industrial.
Enero de 2026:ROHM Semiconductor amplió su colaboración con Valeo para acelerar el desarrollo de módulos de potencia de carburo de silicio de alta eficiencia para inversores de tracción de vehículos eléctricos de próxima generación.
Marzo de 2026:Wolfspeed ha completado la ampliación de la capacidad de producción de su planta de Mohawk Valley Fab, aumentando la producción de dispositivos de potencia de carburo de silicio de 200 mm para satisfacer la creciente demanda de clientes de los sectores automotriz, industrial y de energías renovables.