01 전 세계 질화갈륨 반도체 소자 시장 규모는 2025년 39억 1천만 달러였으며, 2026년 48억 달러에서 2034년 246억 5천만 달러로 성장할 것으로 예상되며, 2026년부터 2034년까지 연평균 성장률(CAGR)은 22.7%를 기록할 것으로 전망됩니다. 북미 지역은 2025년 시장 점유율 36.4%로 질화갈륨 반도체 소자 시장을 주도했습니다.실리콘 소자와 비교했을 때, 질화갈륨(GaN) 반도체 소자는 높은 전력 밀도, 높은 스위칭 주파수, 그리고 향상된 전력 효율을 제공합니다. 질화갈륨(GaN)은 매우 단단하고 기계적으로 안정적인 광대역 밴드갭 반도체입니다. GaN 기반 전력 소자는 항복 강도, 스위칭 속도, 열전도율, 온 저항 측면에서 실리콘 기반 소자보다 훨씬 우수한 성능을 보입니다. GaN은 냉각이 필요 없고 가격이 저렴하다는 등의 여러 장점 덕분에 동시대 반도체인 비소갈륨(GA) 및 실리콘에 비해 널리 사용되고 있습니다. 또한, GaN 기술은 향후 예측 기간 동안 LiDAR, 무선 충전, 데이터 센터 및 기타 반도체 기반 응용 분야에서 수요가 증가할 것으로 예상됩니다.
2026년 5월:인피니언 테크놀로지스는 전기 자동차, 데이터 센터, 신재생 에너지 및 고효율 전력 애플리케이션용으로 설계된 첨단 질화갈륨(GaN) 전력 소자를 출시하여 GaN 반도체 포트폴리오를 확장했습니다.
2026년 3월:나비타스 반도체는 향상된 효율성, 더 높은 전력 밀도, 그리고 고속 충전, 가전제품 및 산업 시스템 전반에 걸친 응용 분야를 특징으로 하는 차세대 GaN 전력 솔루션을 선보였습니다.