01 2025年全球磷化铟晶片市场规模为1.8886亿美元，预计将从2026年的2.1077亿美元增长至2034年的5.0721亿美元，在2026年至2034年的预测期内，复合年增长率为11.60%。近年来，受多种因素影响，磷化铟晶圆市场呈现增长态势。光电器件的广泛应用及其技术的进步是推动全球磷化铟晶圆市场增长的主要动力。此外，智能手机和平板电脑等电子设备的日益普及也促进了市场扩张，因为这些设备的功能需要用到磷酸铟（InP）。同时，全球数据中心建设的蓬勃发展预计也将为市场增长创造更多机遇。磷化铟（InP）晶片是一种由铟和磷原子构成的半导体材料，广泛用于高速电子和光电子元件的制造。InP晶片具有独特的性能，例如高电子迁移率、高击穿电压和高频工作能力，使其成为电信、光纤通信和光伏电池的理想选择。磷化铟（InP）晶圆通常采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）或分子束外延（MBE）等技术制备，这些技术能够精确控制材料的成分和结构。随后，这些晶圆被加工成各种电子元件，包括高电子迁移率晶体管（HEMT）、激光二极管、光电探测器和集成电路（IC）。基于InP的器件具有高性能和高可靠性，因此被广泛应用于5G网络、卫星通信和高速互联网基础设施等尖端技术领域。
2026年6月：相干公司（Coherent Corp.）已获得美国商务部“芯片计划”（CHIPS Program）高达5000万美元的投资，用于扩建其位于德克萨斯州谢尔曼的磷化铟（InP）晶圆制造工厂。该项资金旨在通过为相干公司这座高产能150毫米InP半导体制造工厂增添晶圆制造设备和扩建洁净室，来提升产能。此次扩建预计将增强美国国内用于人工智能数据中心、光通信和先进网络应用的InP基光子器件的生产能力。
2026年6月：IQE plc 与 Tower Semiconductor 签署了一项多年期磷化铟 (InP) 外延片供应协议，旨在支持下一代光连接解决方案。根据该协议，IQE 的 InP 外延片将为 Tower Semiconductor 的硅光子平台提供支持，包括 200G/通道可插拔收发器和用于人工智能驱动型数据中心基础设施的下一代 400Gb/通道光调制器等应用。
2026年5月：Veeco Instruments宣布已收到来自多家客户价值超过2.5亿美元的设备订单，这些订单将用于支持磷化铟激光器制造的系统。订单包括Veeco的Spector®离子束沉积系统、Lumina® MOCVD系统和WaferEtch®系统，这些系统用于生产用于高速光收发器和超大规模数据中心应用的高级磷化铟激光器。
2026年3月：荷兰应用科学研究组织 (TNO)、埃因霍温高科技园区及其行业合作伙伴已在荷兰启动一座6英寸磷化铟晶圆制造工厂的建设。该工厂由欧洲芯片法案和PIXEurope联盟提供支持，由TNO、埃因霍温理工大学、PhotonDelta、SMART Photonics和埃因霍温高科技园区共同合作建设。该项目旨在建立用于光子集成电路的大规模磷化铟芯片制造能力。