01 2025年全球碳化硅功率半导体市场规模为27.9亿美元,预计将从2026年的35亿美元增长到2034年的215.8亿美元,在2026年至2034年的预测期内,复合年增长率将达到25.52%。亚太地区在2025年占据碳化硅功率半导体市场的主导地位,市场份额为43.2%。碳化硅 (SiC) 是一种由硅和碳化物组成的化合物半导体。与硅相比,SiC 具有诸多优势,包括能够实现更宽的 p 型和 n 型控制范围、十倍的击穿电场强度以及三倍的带隙。宽带隙或高带隙材料,例如氮化铝、氮化硼、氮化镓、碳化硅和金刚石,已广泛应用于高温和大功率开关领域。相比之下,硅和砷化镓等传统材料自 20 世纪 70 年代以来就已进入半导体市场。电动汽车为汽车行业带来的诸多优势包括更长的续航里程、更快的充电速度和更高的性能。但它们需要即使在高温下也能正常工作的强大电子设备。因此,人们正在开发采用宽带隙 SiC 技术的功率模块。