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Marktbericht für Halbleiter-Foundries: Größe, Marktanteil und Trendanalyse nach Technologieknoten (<5 nm, 5–6 nm, 7–9 nm, 10–13 nm, 14–19 nm, Sonstige), Foundry-Typ (Reine Foundries, Integrierte Gerätehersteller mit Foundry-Dienstleistungen), Technologie (CMOS, FinFET, FDSOI, Gate-All-Around, Siliziumphotonik, Sonstige), Anwendung (Unterhaltungselektronik, Automobilindustrie, Industrie, Telekommunikation, Rechenzentren & HPC, Sonstige), Region (Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik, Naher Osten und Afrika, Lateinamerika), Prognosen 2026–2034

Zuletzt aktualisiert: August 24, 2026 | Autor: Tejas Zamde | Format:
Überblick Inhaltsverzeichnis Segmentierung Methodik
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Marktsegmentierung

  1. Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt, Von Technology Node Von Technology Node ... 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
    1. <5 nm
    2. 5 nm – 6 nm
    3. 7 nm – 9 nm
    4. 10 nm – 13 nm
    5. 14 nm – 19 nm
    6. 20 nm – 27 nm
    7. 28 nm – 44 nm
    8. 45 nm – 64 nm
    9. 65 nm – 89 nm
    10. ≥ 90 nm
  2. Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt, Nach Gießereityp Nach Gießereityp 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
    1. Reine Gießereien
    2. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
  3. Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt, Durch Technologie 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
    1. CMOS
    2. FinFET
    3. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
    4. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
    5. Siliziumphotonik
    6. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
    7. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
  4. Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt, Auf Antrag 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
    1. Unterhaltungselektronik
    2. Automobil
    3. Industrie
    4. Telekommunikation
    5. Rechenzentren & HPC
    6. Medizinprodukte
    7. Andere
  5. Regional Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt
    1. Nordamerika
      1. Nordamerika Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt Von Technology Node Von Technology Node ... 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
      2. Nordamerika Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt Nach Gießereityp Nach Gießereityp 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. Reine Gießereien
        2. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
      3. Nordamerika Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt Durch Technologie 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. CMOS
        2. FinFET
        3. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        4. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        5. Siliziumphotonik
        6. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        7. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
      4. Nordamerika Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt Auf Antrag 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. Unterhaltungselektronik
        2. Automobil
        3. Industrie
        4. Telekommunikation
        5. Rechenzentren & HPC
        6. Medizinprodukte
        7. Andere
      5. USA
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      6. Kanada
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
    2. Europa
      1. Europa Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt Von Technology Node Von Technology Node ... 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
      2. Europa Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt Nach Gießereityp Nach Gießereityp 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. Reine Gießereien
        2. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
      3. Europa Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt Durch Technologie 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. CMOS
        2. FinFET
        3. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        4. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        5. Siliziumphotonik
        6. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        7. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
      4. Europa Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt Auf Antrag 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. Unterhaltungselektronik
        2. Automobil
        3. Industrie
        4. Telekommunikation
        5. Rechenzentren & HPC
        6. Medizinprodukte
        7. Andere
      5. Großbritannien
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      6. Deutschland
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      7. Frankreich
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      8. Spanien
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      9. Italien
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      10. Russland
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      11. Nordisch
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      12. Benelux-Ländern
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      13. Restliches Europa
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
    3. APAC
      1. APAC Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt Von Technology Node Von Technology Node ... 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
      2. APAC Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt Nach Gießereityp Nach Gießereityp 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. Reine Gießereien
        2. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
      3. APAC Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt Durch Technologie 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. CMOS
        2. FinFET
        3. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        4. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        5. Siliziumphotonik
        6. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        7. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
      4. APAC Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt Auf Antrag 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. Unterhaltungselektronik
        2. Automobil
        3. Industrie
        4. Telekommunikation
        5. Rechenzentren & HPC
        6. Medizinprodukte
        7. Andere
      5. China
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      6. Korea
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      7. Japan
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      8. Indien
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      9. Australien
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      10. Taiwan
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      11. Südostasien
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      12. Rest von Asien-Pazifik
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
    4. Naher Osten und Afrika
      1. Naher Osten und Afrika Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt Von Technology Node Von Technology Node ... 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
      2. Naher Osten und Afrika Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt Nach Gießereityp Nach Gießereityp 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. Reine Gießereien
        2. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
      3. Naher Osten und Afrika Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt Durch Technologie 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. CMOS
        2. FinFET
        3. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        4. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        5. Siliziumphotonik
        6. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        7. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
      4. Naher Osten und Afrika Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt Auf Antrag 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. Unterhaltungselektronik
        2. Automobil
        3. Industrie
        4. Telekommunikation
        5. Rechenzentren & HPC
        6. Medizinprodukte
        7. Andere
      5. VAE
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      6. Türkei
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      7. Saudi-Arabien
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      8. Südafrika
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      9. Ägypten
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      10. Nigeria
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      11. Rest von MEA
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
    5. LATAM
      1. LATAM Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt Von Technology Node Von Technology Node ... 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
      2. LATAM Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt Nach Gießereityp Nach Gießereityp 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. Reine Gießereien
        2. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
      3. LATAM Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt Durch Technologie 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. CMOS
        2. FinFET
        3. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        4. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        5. Siliziumphotonik
        6. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        7. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
      4. LATAM Halbleiter-Auftragsfertigungsmarkt Auf Antrag 2022-2034 (USD MILLION/ Units)
        1. Unterhaltungselektronik
        2. Automobil
        3. Industrie
        4. Telekommunikation
        5. Rechenzentren & HPC
        6. Medizinprodukte
        7. Andere
      5. Brasilien
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      6. Mexiko
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      7. Argentinien
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      8. Chile
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      9. Kolumbien
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
      10. Rest von LATAM
        1. <5 nm
        2. 5 nm – 6 nm
        3. 7 nm – 9 nm
        4. 10 nm – 13 nm
        5. 14 nm – 19 nm
        6. 20 nm – 27 nm
        7. 28 nm – 44 nm
        8. 45 nm – 64 nm
        9. 65 nm – 89 nm
        10. ≥ 90 nm
        11. Reine Gießereien
        12. Integrierte Gerätehersteller (IDMs) mit Foundry-Dienstleistungen
        13. CMOS
        14. FinFET
        15. FDSOI (Vollständig verarmtes Silizium auf Isolator)
        16. Gate-All-Around (GAA) / Nanosheet
        17. Siliziumphotonik
        18. MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)
        19. Verbindungshalbleiter (GaN, GaAs, SiC)
        20. Unterhaltungselektronik
        21. Automobil
        22. Industrie
        23. Telekommunikation
        24. Rechenzentren & HPC
        25. Medizinprodukte
        26. Andere
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