01 2025年全球GAN功率器件市场规模为6.0465亿美元,预计将从2026年的8.2111亿美元增长到2034年的94.9734亿美元,在2026年至2034年的预测期内,复合年增长率将达到35.8%。北美在2025年占据GAN功率器件市场的主导地位,市场份额为35.5%。电子电路利用功率半导体器件来控制系统的能量传输。开关电源(SMPS)是大多数设备中使用的一种功率半导体器件。氮化镓(GaN)是一种用于制造GaN功率器件的半导体材料。GaN功率器件能够降低系统的整体能量损耗。与需要更大芯片空间来降低导通电阻的传统晶体管相比,GaN器件尺寸小巧,可实现高速开关并缩小系统尺寸。GaN器件优于其他具有宽带隙的材料,例如碳化硅(SiC)和金刚石,因为它们在成本更低的情况下也能提供类似的性能。
2025年8月:Navitas Semiconductor 扩展了其 GaNFast™ 技术路线图,推出了先进的氮化镓功率解决方案,旨在实现高效功率转换应用,包括人工智能基础设施、工业系统和电动出行平台。
2025年12月:Navitas Semiconductor 和 Cyient Semiconductors Private Limited 宣布建立战略合作伙伴关系,旨在加速氮化镓 (GaN) 技术在印度的应用。此次合作的重点是开发基于 GaN 的产品、系统模块和设计平台,应用于人工智能数据中心、电动汽车、工业电气化和能源基础设施等领域。
2025年10月:Navitas Semiconductor公司发布了新型GaN和SiC功率器件,旨在支持下一代AI工厂计算平台的800V直流电源架构。该公司还推出了100V GaN FET以及高压电源解决方案,旨在提高AI数据中心基础设施的效率和功率密度。